SRAM（Static Random Access Memory）是一种静态随机存取存储器，广泛用于高速数据缓存、超低功耗应用和嵌入式系统中。

SRAM 的奥义：快速、静态、易挥发

SRAM 的运作原理

SRAM 使用六个晶体管（6T）来存储一个比特信息。与 DRAM（动态随机存取存储器）不同，SRAM 不需要定期刷新来保持其数据，因为它具有静态存储特性。

6T SRAM 单元由以下六个晶体管组成：

四个访问晶体管（T1、T2、T3 和 T4） 两个存储晶体管（T5 和 T6）

当读写操作发生时，访问晶体管控制存储晶体管的栅极电压，从而在存储器单元内创建两种稳态：

0 态：存储晶体管 T6 导通，T5 关断。 1 态：存储晶体管 T5 导通，T6 关断。

SRAM 的优势

高速访问： SRAM 具有非常快的访问时间，通常在几纳秒范围内。 静态特性：与 DRAM 不同，SRAM 不需要刷新周期，因此功耗较低。 低功耗：当没有读写操作时，SRAM 的功耗可以忽略不计。 紧凑尺寸： SRAM 单元比 DRAM 单元小得多，因此可以集成到更小的芯片中。

SRAM 的缺点

易挥发性： SRAM 在断电后会丢失其数据，因此需要配备备用电池以保持其内容。 高成本：由于其复杂的结构，SRAM 比 DRAM 制造成本高。 功耗：虽然 SRAM 在空闲状态下功耗较低，但当不断读取和写入数据时，功耗会显着增加。

应用

SRAM 被广泛用于以下应用：

处理器高速缓存 嵌入式系统 工业控制 通信设备 医疗器械